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12インチ直径 300mm SIC基板 エピタキシアル 磨きされたウェーファー シリコンカービッド インゴ プライムグレード 4H-N型 導電性太陽光発電2025-03-21 11:00:23 |
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2inch単結晶のガリウム砒素の基質の半導体Nのタイプ2023-06-16 16:30:14 |
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2" 3" FZ SiO2 シングルクリスタルICチップ 100um 200um 乾燥湿酸化層 100nm 300nm2023-11-27 09:42:56 |
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硬度9.2のUndoped透明な炭化ケイ素sicの水晶光学レンズ2020-11-10 15:27:22 |
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シリコン・カービッド・ウェーファー シック・サブストラート 4H-P型 オフ・アクシス 4.0°向零度 温度センサー用2025-02-21 16:42:38 |
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高い熱伝導性の抵抗Sicの量の光学のための光学ブロック レンズ2022-06-23 10:14:12 |
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高く熱のカスタマイズされたサイズの正方形Sicの破片の低い格子不適当な組み合わせ2022-09-09 11:41:20 |
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カスタマイズされたサイズの炭化ケイ素の基質の硬度装置のための9.4 Sicの部品2024-09-13 15:02:55 |
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半導体ガリウム窒化物のウエファー、GaNの基質の型板N -タイプ2のインチ2019-07-10 17:43:54 |
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カスタマイズされたサイズ5x5 10x10mmのサイズ4h-n 6h-semi sicのウエファーの破片2023-05-11 15:13:27 |
