![]() |
エピタキシアルGaNのためのMPCVD方法Polytypeのダイヤモンドの基質のウエファー2023-01-03 11:49:13 |
![]() |
ダイヤモンドのGaNおよびエピタキシアルHEMTおよび結合によるGaNのウエファーのDimond2023-01-03 11:44:58 |
![]() |
ダイヤモンドの基質のダイヤモンドの型板のウエファーのAlNのエピタキシアル フィルムのAlN2023-01-03 11:41:01 |
![]() |
4H-N 5x5mm SicのウエファーDSPの陶磁器の触媒の基質2024-09-13 15:22:41 |
![]() |
6H-N 4H-N SiCの基質2inch 0.33mm 0.43mmの炭化ケイ素のウエファー2022-10-28 09:37:06 |
![]() |
熱管理区域のためのMPCVD方法GaNのダイヤモンド脱熱器ウエファー2023-01-03 11:54:15 |
![]() |
カスタマイズされた厚さ1.5mm 4" 4H-N sicの水晶のようにカットの空白のウエファー2022-06-23 10:12:35 |
![]() |
4H-N生産の等級のダミーはSiCの基質のウエファー8inch Dia200mmを等級別にする2022-10-28 09:35:18 |
![]() |
3inch 4inch 2inch 0.35mm DSPの表面4h-N炭化ケイ素Sicのウエファー2022-06-23 10:13:37 |
![]() |
5x40mmカスタマイズされた形sicの水晶ウエファー4H-N Sicの基質の破片2022-06-23 10:12:24 |