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ホロジンタル・ウェーファー・キャリア・ボックス 8" 12"セキュア・トランスポーター RoHS2025-06-10 17:24:22 |
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半断熱型SiCは,P型N型SEMI基板のSi化合物ウェッファーで,厚さ500mm2024-08-23 16:28:06 |
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シリコンカービッド結晶の成長のための4Hタイプ生産グレードのSiC種子ウエファー 8インチ厚さ600±50um2024-10-11 10:35:00 |
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SiC エピタキシアル・ウェーバー基板 半導体産業用 4H-N2024-05-29 11:51:08 |
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SiCシードウエファー 6インチ 8インチ 4H-Nタイプ 生産グレード シICウエファー成長のためのダミーグレード2024-10-11 10:35:00 |
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高温耐性のSiCバックプレート/ウェーファーキャリア用のサポートプレート2025-05-26 11:36:35 |
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ウェッファー処理用の SiC セラミックボートキャリア2025-06-17 13:36:55 |
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HPSI 高純度半絶縁性 SiC ウェーハ 2"3"4"6" 8" プライム/ダミー/研究グレード2025-06-17 13:32:22 |
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ICのシリコンの薄片の欠陥は0.28/0.35/0.5/0.525/0.625/0.7/0.725mmの平坦<50umを解放する2023-08-24 22:58:33 |
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4インチ6インチ 高純度クォーツ結晶ボート SiO2 ワッフル拡散加工 高温耐性2024-05-08 15:45:24 |
