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高温耐性のSiCバックプレート/ウェーファーキャリア用のサポートプレート2025-05-26 11:36:35 |
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ウェッファー処理用の SiC セラミックボートキャリア2025-06-17 13:36:55 |
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HPSI 高純度半絶縁性 SiC ウェーハ 2"3"4"6" 8" プライム/ダミー/研究グレード2025-06-17 13:32:22 |
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ICのシリコンの薄片の欠陥は0.28/0.35/0.5/0.525/0.625/0.7/0.725mmの平坦<50umを解放する2023-08-24 22:58:33 |
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4インチ6インチ 高純度クォーツ結晶ボート SiO2 ワッフル拡散加工 高温耐性2024-05-08 15:45:24 |
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バイオニック・アンスリップ・パッド 高摩擦低粘着性ウエファーにはバイオニック・摩擦・パッドの吸入カップがある2025-04-14 17:40:13 |
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サファイア・ウェーファー 3" Dia76.2±0.1mm,厚さ550um, C-Plane 0001 DSP/SSP2025-06-17 13:45:10 |
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サファイアウェーハ 8インチ Dia 200mm±0.2mm 厚さ 725Um C面 SSP,DSP 硬度9.02025-06-19 17:47:44 |
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4H-N型SiC基板 10x10mmウェーハ パワーエレクトロニクス用2025-07-31 09:09:08 |
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シリコン・カービッド・シード・ウエファー型 4H ダイア 157±0.5mm 厚さ 500±50um モノクリスタル 面積 >153mm2024-10-11 10:35:00 |
