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無線周波数装置のための8inch 6inch 4H-NのタイプSicの基質のウエファーの生産の等級2023-05-06 10:49:39 |
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330um厚さ4H-NのタイプSiCの基質の生産の等級Dia50.8mm 2inch2023-07-19 17:35:00 |
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2インチ 4インチ 6インチ 8インチ 12インチ シリコンカービッド ワッフル SiC 4H-N ダミーグレード Rrimeグレード 高硬度半導体材料2025-03-21 10:57:34 |
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5x40mmカスタマイズされた形sicの水晶ウエファー4H-N Sicの基質の破片2022-06-23 10:12:24 |
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高温耐性のSiCバックプレート/ウェーファーキャリア用のサポートプレート2025-05-26 11:36:35 |
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2インチ 4インチ 6インチ 8インチ 5×5mm 10×10mm 4H-SiC基質 3C-Nタイプ MOSグレード2025-08-14 11:19:17 |
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10のMm X Semi-Insulatingタイプ10のMmの6HのSiCの基質の研究の等級SiCの水晶基質2023-06-16 16:38:18 |
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4H-NタイプSemi-Insulating SiCの基質2inch 3inch 4inchの炭化ケイ素のウエファー2023-07-19 17:31:12 |
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2インチSICシリコンカービッドウェーファー 4H-N型 MOSデバイス用 ダイア 0.4mm2024-12-05 15:52:17 |