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4インチ,6インチ,8インチの大きなサイズ結晶を育てるために PVT,Lely TSSGとLPEの方法を使用します.2025-02-21 16:42:38 |
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高い純度のun-doped炭化ケイ素sicのウエファー、6Inch 4H-Semi Sicの炭化ケイ素の基質2023-05-11 14:23:27 |
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4" 4H-半純度SICウェーファー プライムグレード半導体EPI基板2023-11-27 09:47:06 |
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CVD SiC エピタキシウエファー 2インチ 3インチ 4インチ 6インチ エピタキシ厚さ 2.5-120 um 電子電源2024-05-07 18:17:32 |
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4H-N シリコンカービッド SiC基板 2インチ 3インチ 4インチ 6インチ 8インチ 12インチプライムグレード ダミーグレード2025-04-29 14:01:02 |
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4インチ 3C N型 SiC基板 シリコンカービッド基板 厚さ350um プライムグレード ダミーグレード2024-08-27 09:58:42 |
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6H-P シリコンカービッド SiC 基板 6インチ SIC ウェーファー 4H-P 光電子機器用2024-09-24 17:30:38 |
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4H-N型SiC基板 10x10mmウェーハ パワーエレクトロニクス用2025-07-31 09:09:08 |
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模造の主な等級6inchの炭化ケイ素sicのウエファー0.5mm 0.35mm DSP 4H-N/semiの厚さの基質2020-07-17 15:01:02 |
