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2/4/6/8 インチ Sic シリコンカービッド結晶種子基板 4H-N型 高硬さ Pグレード Rグレード Dグレード2025-01-24 14:50:41 |
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模造の生産の研究の等級の炭化ケイ素高い純度4h-semiは透明なsicのウエファーを非添加しました2020-07-17 15:03:47 |
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4inch Sicのインゴット炭化ケイ素半導体のための5 - 15mmの厚さ2019-07-10 17:43:54 |
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模造の主な等級6inchの炭化ケイ素sicのウエファー0.5mm 0.35mm DSP 4H-N/semiの厚さの基質2020-07-17 15:01:02 |
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熱伝導性の陶磁器の基質の窒化アルミニウムのAlNの高い陶磁器の基質2021-09-03 10:29:37 |
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6インチ1.0mmの陶磁器の基質、半導体の処理のためのアルミナの陶磁器の版2019-07-10 17:43:54 |
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Al2O3機械シールのための陶磁器の基質のウエファーの優秀な電気特性2019-07-10 17:43:54 |
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陶磁器軸受けリング98%純度を磨くカスタマイズされたサイズの炭化ケイ素2019-07-10 17:43:54 |
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SSIC SiCの機械シール リングのアルミナの陶磁器の基質2022-01-27 14:30:10 |
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4H-N 5x5mm SicのウエファーDSPの陶磁器の触媒の基質2024-09-13 15:22:41 |
