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半導体デバイスのための2inch 3inch Dia100m 4H-Nのタイプ炭化ケイ素のウエファーの生産の等級2020-10-26 20:48:02 |
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カスタマイズされたサイズ5x5 10x10mmのサイズ4h-n 6h-semi sicのウエファーの破片2023-05-11 15:13:27 |
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4インチ 6インチ 8インチ 4H-SiCOI ワッフル 複合 SiC 隔熱基板2025-06-10 17:24:22 |
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高く熱のカスタマイズされたサイズの正方形Sicの破片の低い格子不適当な組み合わせ2022-09-09 11:41:20 |
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2インチ6H -探知器のための半炭化ケイ素のウエファーの低い電力の消費2024-08-26 15:41:54 |
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2インチ 4インチ 6インチ 8インチ 5×5mm 10×10mm 4H-SiC基質 3C-Nタイプ MOSグレード2025-08-08 16:03:00 |
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4'' 200nm AlScN シリコン・ウェーファー SSP DSP LEDデバイスのためのエピタキシアル基板2024-02-05 13:17:55 |
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主な2" 3" 4" 6" Sicの基質の炭化ケイ素sicのウエファーを絶縁する4h-Semi 4H-N2022-06-23 10:12:27 |
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二重側面の磨かれたサファイアのウエファー、サファイアの基質2のインチ0.43mmの厚さ2022-11-30 12:14:44 |
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4インチ サファイア・ウェーファー サファイア・サブストラート アル2O3 ウェーファー 9.0mhs 透明 Ssp C軸2024-08-28 09:01:54 |
