プロダクト細部
起源の場所: 中国
ブランド名: zmsh
モデル番号: インゴット
支払いと送料の条件
最小注文数量: 500グラム
価格: by case
パッケージの詳細: カスタマイズされた場合によって
受渡し時間: 中15days
業界: |
半導体の基質 |
材料: |
sicの水晶 |
アプリケーション: |
5Gの装置材料、MOCVDのパワー エレクトロニクス |
タイプ: |
4H-N、半、添加される |
色: |
、青い緑、白い |
硬度: |
9.0 |
業界: |
半導体の基質 |
材料: |
sicの水晶 |
アプリケーション: |
5Gの装置材料、MOCVDのパワー エレクトロニクス |
タイプ: |
4H-N、半、添加される |
色: |
、青い緑、白い |
硬度: |
9.0 |
炭化ケイ素のsicによって壊されるブロック、宝石の等級sicのインゴット、
5-15mmの厚さsicのスクラップ
| 特性 | 4H SiCの単結晶 | 6H SiCの単結晶 |
| 格子変数 | a=3.076 Å c=10.053 Å | a=3.073 Å c=15.117 Å |
| 順序の積み重ね | ABCB | ABCACB |
| Mohsの硬度 | ≈9.2 | ≈9.2 |
| 密度 | 3.21 g/cm3 | 3.21 g/cm3 |
| Therm。拡張係数 | 4-5×10-6/K | 4-5×10-6/K |
| 屈折の索引@750nm |
= 2.61無し ne = 2.66 |
= 2.60無し ne = 2.65 |
| 比誘電率 | c~9.66 | c~9.66 |
| 熱伝導性の（Nタイプ、0.02 ohm.cm） |
a~4.2 W/cm·K@298K c~3.7 W/cm·K@298K |
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| 熱伝導性（半絶縁） |
a~4.9 W/cm·K@298K c~3.9 W/cm·K@298K |
a~4.6 W/cm·K@298K c~3.2 W/cm·K@298K |
| バンド ギャップ | 3.23 eV | 3.02 eV |
| 故障の電場 | 3-5×106V/cm | 3-5×106V/cm |
| 飽和漂流速度 | 2.0×105m/s | 2.0×105m/s |
GaAaおよびSiと比較されるSiCの物理的な及び電子特性
広いエネルギーBandgap （eV）
4H SiC:3.26 6H SiC:3.03 GaAs:1.43のSi:1.12
SiCで形作られる電子デバイスはで広いエネルギーbandgapのために本質的な伝導の効果に苦しまないで高温非常に作動できます。また、この特性はSiCが可能な青い発光ダイオードおよびほぼ太陽盲目の紫外線フォトディテクターの製作をする短波ライトを出し、検出するようにします。
高い故障の電界[V/cm （1000ボルト操作のために）]
4H SiC:2.2 x 106* 6H SiC:2.4 x 106* GaAs:3 x 105 Si:2.5 x 105
SiCはアヴァランシェ・ブレークダウンを経ないでSiかGaAsより8倍より大きい上の電圧勾配（か電界に）抗できます。この高い故障の電界はダイオードのような非常に高圧、強力な装置、力のtransitors、力のサイリスタおよびサージ サプレッサー、また高い発電マイクロウェーブ装置の製作を可能にします。さらに、それは装置が非常にすぐそばに置かれるようにしま高い装置記録密度を集積回路に提供します。
高い熱伝導性（W/cm·K @ RT）
4H SiC:3.0-3.8 6H SiC:3.0-3.8 GaAs:0.5 Si:1.5
SiCは優秀な熱コンダクターです。熱はSiCを他の半導体材料よりもっと容易に貫流します。実際、室温で、SiCにあらゆる金属より高い熱伝導性があります。この特性はまだSiC装置が非常に高い発電のレベルで作動し、発生する多量の余分な熱を散らすことを可能にします。
最高によって飽和させる電子漂流速度[cm/sec （@ Eの≥ 2 x 105 V/cm）]
4H SiC:2.0 x 107 6H SiC:2.0 x 107 GaAs:1.0 x 107 Si:1.0 x 107
SiC装置は高周波でSiCの最高によって飽和させる電子漂流速度のために（RFおよびマイクロウェーブ）作動できます。
適用
*III-Vの窒化物の沈殿*Optoelectronic装置
*High-Power装置*高温装置
* Moissaniteの*High-Frequency力装置
総合的なmoissaniteは化学の後にそして商号、カーボランダムによって別名炭化ケイ素行います。いん材料では、moissaniteは小さいダイヤモンドと関連付けられます。Moissaniteはまた新しい合成物質SiCの宝石用原石のために使用される商号です。
ダイヤモンドのsimulantとして、人工的なmoissaniteはダイヤモンドから区別し非常ににくくで、多くのgemologistsをだますことができます。それに多くの類似があります。それは9.25で非常に堅いです（ダイヤモンドは10）であり、2.6 - 2.7の屈折率と非常に屈折します（ダイヤモンドのIRは2.42でわずかにより低いです）。ほとんどの重要、moissaniteおよびダイヤモンドは他のダイヤモンドのsimulantsとは違って熱的に伝導性であり、不運にも主に実質のダイヤモンドの信用のためにテストとして使用されるのはこの特性です。しかし相違は明確であり、2を区別するのに他のテストが使用することができます。まず、moissaniteは六角形、等大であり、従ってそれは二倍に屈折する同じでないダイヤモンドです。moissaniteの宝石用原石のによ表面検査はダイヤモンドの端が出現で単一である一方二重面の端を示すべきです。Moissaniteはまたダイヤモンドよりわずかにより少なく密で、まれに色の完全に明確で、緑の薄い色合いを持っています。自然な欠陥は成長するプロセスの結果の小さく、不自然で、白い、リボンそっくりの構造と代りに取替えられるmoissaniteで不在です。カーボランダムとして知られている総合的なSiCはハイテクな製陶術の多くの使用、電装品、研摩剤、玉軸受、半導体を、非常に堅い鋸および装甲見ました。
自然なmoissaniteは非常にまれで、限られた鉄ニッケルの隕石および他の少数のまれな超苦鉄質のigneousoccurrencesです。最初に元の隕石の調査結果へ懐疑者があり、見たタイプ標本を使用されるかもしれない炭化ケイ素の刃に帰因しました。しかしこれはサンプルを準備するのに先生が炭化ケイ素の刃を使用しなかったのでアンリ・モアッサン論じられました。
Moissaniteは鉄を作るのに使用される高炉プロセスのBiプロダクトである場合もあります。高炉では、鉄鋼、カーボンのような未加工原料（通常コークスの形で、しかしメタンのような他の形態は使用されるかもしれません）、石灰岩および他の化学薬品および空気は（不純物と反応するのに使用される）絶えず導入されます。反作用は液体として取除かれる銑鉄の生産で不純物が上への浮遊物が取除かれるスラグを形作る間、起因し。巨大な炉の側面は内部は非常に熱く、これが結晶するために鉱物のための条件を作成するが、比較的涼しいです。数か月ごとに、炉はこれらの鉱物が炉の壁から取除くことができるように空けられます。1つのそのような鉱物は溶解した鉄で分解するケイ素およびカーボンから容易に結晶するmoissaniteです。ほとんどがひかれ、研摩剤として使用されるが生じるmoissaniteの水晶は鉄内容がほぼ黒く、不透明な原因ですが、かなり多彩で、美しくていいです。
SiCの数段階があります。発見される元の鉱物はmoissanite-6Hとして公式に知られています。（6H） moissaniteのこの段階の六角形の対称を参照します。鉱物として確認される2他の段階があります:moissanite-5Hおよびベータmoissanite等大段階。
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2" |
3" |
4" |
6" |
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Polytype |
4H/6H |
4H/6H |
4H/6H |
4H |
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直径 |
50.80mm±0.38mm |
76.2mm±0.38mm |
100.0mm±0.5mm |
150.0mm±0.2mm |
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FAQ:
Q:船積みおよび費用の方法は何ですか。
A:（1）私達はDHL、Federal Express、FOBによるEMSを受け入れます。
Q:支払う方法か。
A:T/T、先立って
Q:あなたのMOQは何ですか。
A:（1）目録のための、MOQは30gです。
（2）カスタマイズされたcommenプロダクトのための、MOQは50gです
Q:受渡し時間は何ですか。
A:（1）標準的なプロダクトのために
目録のため:配達は順序を置いた5仕事日後あります。
カスタマイズされたプロダクトのため:配達は接触を発注した-4週後2です。
