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SiC水晶4H-SEMI 4"光学炭化ケイ素のウエファー2022-06-23 10:14:16 |
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高い熱伝導性の抵抗Sicの量の光学のための光学ブロック レンズ2022-06-23 10:14:12 |
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主な2" 3" 4" 6" Sicの基質の炭化ケイ素sicのウエファーを絶縁する4h-Semi 4H-N2022-06-23 10:12:27 |
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0.5x0.5mmの正方形の版でsicの破片のためのサービスを切るsicレーザー2023-08-24 22:47:56 |
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シリコンカービッド結晶の成長のための4Hタイプ生産グレードのSiC種子ウエファー 8インチ厚さ600±50um2024-10-11 10:35:00 |
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SiCシードウエファー 6インチ 8インチ 4H-Nタイプ 生産グレード シICウエファー成長のためのダミーグレード2024-10-11 10:35:00 |
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9.7比誘電率4.9 W/mKの熱伝導性のSicの基質2023-08-24 22:49:43 |
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2/4/6/8インチ Sic シリコンカービッド基板 4H 6H 3C タイプ サポート 半導体産業 複数のサイズ2025-02-07 15:10:23 |
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3inch 4inch 2inch 0.35mm DSPの表面4h-N炭化ケイ素Sicのウエファー2022-06-23 10:13:37 |
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4H-N 5x5mm SicのウエファーDSPの陶磁器の触媒の基質2024-09-13 15:22:41 |
