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ダイヤモンドワイヤ 三ステーション単線切断機 SiC / サファイア / シリコン加工2025-07-28 15:27:34 |
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RFの適用のための4Inch 6INCH GaN Si GaN SiC Epiのウエファー2023-12-12 15:57:26 |
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エピタキシアル成長処理のための8インチの炭化ケイ素の陶磁器の皿2025-03-20 17:10:41 |
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電熱SSICの陶磁器の基質Al2O3陶磁器軸受け2021-04-13 16:34:48 |
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ミラーの磨かれた炭化ケイ素の管の耐久性Al2O3陶磁器シリンダー2021-04-13 16:32:17 |
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注文のサイズの陶磁器の基質/炭化ケイ素の陶磁器の優秀な腐食2020-12-19 22:17:07 |
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シリコン・カービッド・ウェーファー 6H P型 標準生産グレード ディア:145.5 mm~150.0 mm 厚さ 350 μm ± 25 μm2024-09-24 17:30:38 |
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シリコン・カービッド・ウェーファー 6H P型& 4H P型ゼロ MPD 製造 ダミー・グレード Dia 4インチ 6インチ2024-09-24 17:30:38 |
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シリコン・カービッド・ウェーファー 4H P型ゼロ MPD 製造グレード ダミーグレード 4インチ 6インチ2024-09-24 17:30:38 |
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シリコン・カービッド・ウエーファー 8インチ 200mm 磨き基板 半導体2024-06-26 10:36:52 |
