 |
2インチDSPの単結晶ガリウム窒化物のウエファーの自由な立つGaNの基質2022-04-14 16:25:11 |
|
|
4H-N生産の等級のダミーはSiCの基質のウエファー8inch Dia200mmを等級別にする2022-10-28 09:35:18 |
|
|
シリコンカービッド基板 5.0*5.0mm 方形 6H-P型 厚さ 350μm ゼログレード ダミーグレード2024-09-24 17:30:38 |
|
|
シリコン・カービッド・SiC・ウェーファー 4H-N 2"3"4"6"8"12" N型プライム/ダミー/研究グレード2025-06-17 13:40:54 |
|
|
2インチシークリシウムカービッド基板 6H 低耐性 高Pドーピング型 直径 50.8mm2024-09-24 17:30:38 |
|
|
シリコンカービッド基板 4' Sic 3C-N 直径 100mm 導電性タイプゼロ MPD 生産グレード2024-10-11 10:33:11 |
|
|
10のMm X Semi-Insulatingタイプ10のMmの6HのSiCの基質の研究の等級SiCの水晶基質2023-06-16 16:38:18 |
|
|
2インチ シック 基板 6H-N タイプ 厚さ 350um 650um シック ウェーファー2024-08-08 13:35:02 |
|
|
2インチ6H -探知器のための半炭化ケイ素のウエファーの低い電力の消費2024-08-26 15:41:54 |
|
|
4inch 6Inch 4H-N 500mm 350um SICのウエファーの炭化ケイ素sicの基質の主な模造の等級2022-06-23 10:12:20 |
