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中国 Multi-Wire Diamond Saw Cutting Machine for SiC/Sapphire/Ultra-Hard Brittle Materials 代理店
Multi-Wire Diamond Saw Cutting Machine for SiC/Sapphire/Ultra-Hard Brittle Materials

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中国 VIS-NIR近赤外線CMOSデジタルカメラ CONTOUR-IR 多スペクトルカメラ 400-1700nm 工場

VIS-NIR近赤外線CMOSデジタルカメラ CONTOUR-IR 多スペクトルカメラ 400-1700nm
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製品説明: VIS-NIR近赤外線CMOSデジタルカメラ CONTOUR-IR 多スペクトルカメラ 400-1700nm パーソナルコンピュータまたはノートPCで使用するように設計されたUSB2.0インターフェースを持つ近赤外線CMOSデジタルカメラ.USB2.コンピュータ上でリアルタイムで画像を柔... 続きを読む
2025-03-18 17:24:07
中国 サファイア結晶炉 キロポロスバブル成長方法 工場

サファイア結晶炉 キロポロスバブル成長方法
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製品説明 サファイア結晶炉 キロポロスバブル成長方法 サファイア結晶炉は,キロポルス方法 (バブル方法) 技術を用い,高品質のサファイア結晶を栽培する装置である.温度を正確に制御することによって,上げ速度と冷却条件装置は,LED,光窓,半導体基板などの分野で広く使用されている高温環境で,大きなサイズ... 続きを読む
2025-03-18 17:21:54
中国 磁気懸垂 遠心式空気圧縮機 45%~100% 恒久磁気 周波数変換 遠心式技術 工場

磁気懸垂 遠心式空気圧縮機 45%~100% 恒久磁気 周波数変換 遠心式技術
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製品説明 磁気懸垂 遠心式空気圧縮機 45%~100% 恒久磁気 周波数変換 遠心式技術 磁気懸垂遠心式空気圧縮機は,高効率で省エネの空気圧縮装置の一種です.磁気懸垂ベアリング技術と高速永久磁石モーターで駆動されるその主な特徴は: ■磁気軸承技術:磁気懸垂ローターによって,機械的な接触と摩擦はなくさ... 続きを読む
2025-03-18 17:21:54
中国 ガラスレーザー精密切断機 ガラス加工 UVレーザー CNCシステム 工場

ガラスレーザー精密切断機 ガラス加工 UVレーザー CNCシステム
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製品説明 ガラスレーザー精密切断機 ガラス加工 UVレーザー CNCシステム グラスレーザー精密切削機械は,高精度でガラス材料を切るレーザー技術を使用する特殊機器の一種です.非接触加工方法によって,複雑な形状の切断を実現することができます高精度で高品質の要求を伴うガラス加工に適しています. 高性能グ... 続きを読む
2025-03-18 17:21:53
中国 マイクロメーター開口を持つ小テーブルレーザーパルファータ精密加工部品 工場

マイクロメーター開口を持つ小テーブルレーザーパルファータ精密加工部品
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製品説明 マイクロメーター開口を持つ小テーブルレーザーパルファータ精密加工部品 小型テーブルレーザーパンシングマシンは,金属,硬材,非金属材料のマイクロホール加工に適した高精度レーザー加工機器です.テーブル は,通常,ガラス で でき,掃除 する ため に 吸い込み,吹く 装置 が 備わっ て い ... 続きを読む
2025-03-18 17:21:53
中国 4インチ,6インチ,8インチの大きなサイズ結晶を育てるために PVT,Lely TSSGとLPEの方法を使用します. 工場

4インチ,6インチ,8インチの大きなサイズ結晶を育てるために PVT,Lely TSSGとLPEの方法を使用します.
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SiCインゴットの成長炉の導入 4インチ,6インチと8インチの大きなサイズクリスタルを育てるためにPVT,Lely,TSSGとLPE方法を使用するSiCインゴット成長炉 SiC・インゴット成長装置は,4",6",8"の大きさの大きな結晶を育てることに焦点を当て,高速な成長率を達成します. PVT... 続きを読む
2025-02-21 16:42:38
中国 シック結晶増殖炉 PVT LPE HT-CVD 高品質のシック単結結晶増殖方法 工場

シック結晶増殖炉 PVT LPE HT-CVD 高品質のシック単結結晶増殖方法
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製品説明: シック結晶増殖炉 PVT LPE HT-CVD 高品質のシック単結結晶増殖方法 シリコンカービッド結晶の成長炉は,高品質のSiC結晶の準備を達成するためのコア機器です. その中には,PVT方法,LPE 方法と HT-CVD 方法は,一般的に使用される三つのシリコンカービッド単結成長方法で... 続きを読む
2025-02-21 16:42:38
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SiCの基質

高い純度のun-doped炭化ケイ素sicのウエファー、6Inch 4H-Semi Sicの炭化ケイ素の基質

2インチ6H -探知器のための半炭化ケイ素のウエファーの低い電力の消費

4inch Sicのインゴット炭化ケイ素半導体のための5 - 15mmの厚さ

4H-SEMIは装置材料のためのSicのウエファー レンズ2INCH 3INCH 4INCH 9.0の硬度を磨いた

サファイアのウエファー

半導体ウエハーの注文のサファイア ガラス/サファイアのWindowsスペシャルのオリエンテーション

サファイア・ウェーファー 厚さ0.43mm サファイア・コンポーネント サイズ・オーエンテーション

光学レンズのための正方形のサファイアのウエファー/サファイア ガラス ガラス10x10mm 5x5mm

2°Off C -軸線の総合的なサファイア ガラスEpi -準備ができた基質2インチ（直径） 50.8mm

ガリウム窒化物のウエファー

レーザーの投射の表示ガリウム窒化物のGaNのウエファー350umの厚さ

2inch 4inch導かれるのための支えがないGaNガリウム窒化物の基質の型板

サファイアのEPIウエファーのAlNサファイアのウエファーの2INCH 4INCH NPSS/FSS AlNの型板

サファイア、Siの基質の2inch 4Inchガリウム窒化物のGaN AlNの型板のウエファー

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