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中国 ダイヤモンドワイヤの単線切断機 工場

ダイヤモンドワイヤの単線切断機
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ダイヤモンドワイヤの単行線切断機の概要 ダイヤモンドワイヤの単線切断機 ダイヤモンドワイヤの単線切断機は,硬くて壊れやすい材料の高精度加工装置です.高速回転によって効率的で低損失の切断を実現するために,ダイヤモンド浸透したワイヤ (ダイヤモンドワイヤ) を切断媒体として使用するこの機械は主に,サファ... 続きを読む
2025-08-14 15:49:48
中国 Wafer 薄めシステム 精密薄め装置 SiC Si Wafer 互換性 4 -12インチ Wafer 容量 工場

Wafer 薄めシステム 精密薄め装置 SiC Si Wafer 互換性 4 -12インチ Wafer 容量
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Wafer 薄めシステム 精密薄め装置 SiC Si Wafer 互換性 4 -12インチ Wafer 容量 ワッフル薄化装置の技術概要 Wafer Thinning Equipmentは,シリコン (Si),シリコンカーバイド (SiC),ガリウムアルセニード (GaAs) とサファイア基質を含... 続きを読む
2025-08-14 11:19:03
中国 エンドポンプレーザーマーキングマシン 6W-30W 高精度マーキング 1064nm波長 工場

エンドポンプレーザーマーキングマシン 6W-30W 高精度マーキング 1064nm波長
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のFAQ アプリケーションシナリオ 主な技術パラメータエンドポンプレーザーマーキングマシン レーザー出力 8W 10W 12W 15W 20W 25W 40W レーザー波長 1064nm 周波数範囲 5-200KHz パルス幅 のアプリケーションシナリオ 1. 電子機器: PCB QRコード、チップ... 続きを読む
2025-07-28 15:32:32
中国 6インチ~12インチ SiC基板レーザー分離システム 機械 オーダーメイド 工場

6インチ~12インチ SiC基板レーザー分離システム 機械 オーダーメイド
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レーザー分離システムシステム概要わかった 6インチ~12インチ SiC基板レーザー分離システム 機械 オーダーメイド レーザーリフトオフ (LLO) システムは,高エネルギーパルスレーザーを利用してインターフェースで選択的な材料分離を実現する高度な精密加工技術です.この技術は半導体製造に広く使用さ... 続きを読む
2025-07-28 15:32:32
中国 ステンレス鋼/部品へのマーキング用ファイバーレーザーマーキングマシン 20W-100W 工場

ステンレス鋼/部品へのマーキング用ファイバーレーザーマーキングマシン 20W-100W
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繊維概要のアザーマークマシン ステンレス鋼/部品をマークするためのファイバーレーザーマークマシン 20W-100W ファイバーレーザーマーキング機械は,ファイバーレーザージェネレーターを使用して,レーザービームを生産し,例外的なビーム品質と10万時間を超える延長使用寿命を有する. 他のタイプのレー... 続きを読む
2025-07-28 15:32:32
中国 UVレーザーマーキングマシン 355nm波長 3W-20Wレーザー出力 ±0.01mm位置決め精度 工場

UVレーザーマーキングマシン 355nm波長 3W-20Wレーザー出力 ±0.01mm位置決め精度
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UVレーザーマーキング機のアプリケーションシナリオ 1. 精密電子機器産業 PCB/FPC微細マーキング：0.1mm厚のフレキシブル回路で15μmの線幅精度を実現し、HDIボードのコンポーネント識別要件を完全に満たし、機械的マーキングによる基板の変形を回避します。 UVレーザーマーキング機は、完全... 続きを読む
2025-07-28 15:32:32
中国 CO₂ レーザーチューブ切断機（ガスレーザー技術搭載）80W-180W 工場

CO₂ レーザーチューブ切断機（ガスレーザー技術搭載）80W-180W
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機器の概要 レーザー切断機 ガスレーザー技術でチューブ切削用CO2レーザー切削機 (80W-180W) CO2レーザー切削機械は高精度産業切削のためにガスレーザー技術を使用する.システムはCO2ガス混合物 (HeとN2のような補助ガスと) を使用し,高電圧放電を通る64μm赤外線レーザー線このビー... 続きを読む
2025-07-28 15:31:38
中国 ​​非金属材料用CO₂レーザーマーキングマシン、動作温度0～50℃​​ 工場

​​非金属材料用CO₂レーザーマーキングマシン、動作温度0～50℃​​
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CO2レーザーマーキング機械について設備の概要わかった 0~50°Cの動作温度で非金属材料のCO2レーザーマークマシン CO2レーザーマーキング機械は高精度産業用マーキングを達成するためにガスレーザー技術を使用します.システムでは,CO2ガス混合物 (HeとN2のような補助ガス) を用いて,.64... 続きを読む
2025-07-28 15:31:38
中国 エンドポンプレーザーマーキングマシン 8W-40Wレーザー波長 1064nm 工場

エンドポンプレーザーマーキングマシン 8W-40Wレーザー波長 1064nm
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末端ポンプレーザーマーキング機械基本導入わかった エンドポンプレーザーマーキングマシン 8W-40Wレーザー波長 1064nm エンドポンプレーザーマーキングマシン (公式には半導体エンドポンプレーザーマーキングシステムと呼ばれる) は,高精度産業マーキングを達成するためにエンドポンプ技術を使用し... 続きを読む
2025-07-28 15:31:38
中国 ​​様々なプラスチックマーキング用355nm UVレーザーマーキング機 3W-25W​​ 工場

​​様々なプラスチックマーキング用355nm UVレーザーマーキング機 3W-25W​​
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UVレーザーマーキングマシン：技術仕様 レーザー出力 3W 5W 10W 15W 20W 25W レーザー波長 355nm 周波数範囲 20kHz-150kHz 40kHz-300kHz パルス幅 15ns@30kHz 15ns@40kHz 18ns@60kHz スポット径 0.55±0.15mm ... 続きを読む
2025-07-28 15:31:38
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SiCの基質

高い純度のun-doped炭化ケイ素sicのウエファー、6Inch 4H-Semi Sicの炭化ケイ素の基質

2インチ6H -探知器のための半炭化ケイ素のウエファーの低い電力の消費

4inch Sicのインゴット炭化ケイ素半導体のための5 - 15mmの厚さ

4H-SEMIは装置材料のためのSicのウエファー レンズ2INCH 3INCH 4INCH 9.0の硬度を磨いた

サファイアのウエファー

半導体ウエハーの注文のサファイア ガラス/サファイアのWindowsスペシャルのオリエンテーション

サファイア・ウェーファー 厚さ0.43mm サファイア・コンポーネント サイズ・オーエンテーション

光学レンズのための正方形のサファイアのウエファー/サファイア ガラス ガラス10x10mm 5x5mm

2°Off C -軸線の総合的なサファイア ガラスEpi -準備ができた基質2インチ（直径） 50.8mm

ガリウム窒化物のウエファー

レーザーの投射の表示ガリウム窒化物のGaNのウエファー350umの厚さ

2inch 4inch導かれるのための支えがないGaNガリウム窒化物の基質の型板

サファイアのEPIウエファーのAlNサファイアのウエファーの2INCH 4INCH NPSS/FSS AlNの型板

サファイア、Siの基質の2inch 4Inchガリウム窒化物のGaN AlNの型板のウエファー

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