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シリコン・カービッド・シード・ウエファー型 4H ダイア 157±0.5mm 厚さ 500±50um モノクリスタル 面積 >153mm2024-10-11 10:35:00 |
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SiCシードウエファー 6インチ 8インチ 4H-Nタイプ 生産グレード シICウエファー成長のためのダミーグレード2024-10-11 10:35:00 |
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Wafer 薄めシステム 精密薄め装置 SiC Si Wafer 互換性 4 -12インチ Wafer 容量2025-08-14 11:19:03 |
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ウェッファー処理用のカスタマイズされたSiCセラミックエンドエフェクター2025-05-26 11:36:35 |
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サファイア・ウェーファー 6'' 半径 150mm±0.1mm 厚さ 1000um C平面2025-06-19 10:38:03 |
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サファイア・ウェーファー 12' 半径 250mm±0.5mm 厚さ 1000 Um C-Plane DSP2025-06-18 14:47:48 |
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4インチ 6インチ 8インチ 4H-SiCOI ワッフル 複合 SiC 隔熱基板2025-06-10 17:24:22 |
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4インチ SiC エピタキシャルウェーハ 4H-N 直径100mm 厚さ350μm プライムグレード2025-07-01 13:16:40 |
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6インチ~12インチ SiC基板レーザー分離システム 機械 オーダーメイド2025-07-28 15:32:32 |
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半導体ウェーファー加工のためのダイヤモンドワイヤーシングル / マルチプルワイヤーソーマシン2025-07-28 15:29:25 |
