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4インチのLDの半導体レーザーのためのSemi-Insulatingリン化インジウムINPウエファー2021-07-21 10:03:38 |
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半導体レーザーINPリン化インジウムのウエファー100mmの直径の黒色2021-07-21 10:25:15 |
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半絶縁の2インチ50mm Nのタイプ模造INPリン化インジウムのウエファー2021-07-28 16:21:27 |
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インディウム・フォスフィード・ウェーファー INP 半導体基板 エピタキス 2'' 3' 4' 厚さ 350um2023-10-26 11:03:32 |
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InP FPエピワファー InP基板 n/pタイプ 2 3 4インチ 厚さ 350-650um 光網作業用2024-09-10 15:33:00 |
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2' 4' InP ウェーファー インディウム・フォスフィード ウェーファー 半導体基板 350um 650um2023-10-26 11:04:11 |
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DFB ウェーファー N-InP 基板 エピウェーファー 活性層 InGaAlAs/InGaAsP 2 4 6 インチ ガスのセンサー2024-09-10 15:33:00 |
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FP エピワファー インプスプラート接触層 InGaAsP Dia 2 3 4 インチ OCT 1.3um波長帯2024-09-10 15:33:00 |
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DFB エピワファー インP 基板 MOCVD 方法 2 4 6 インチ 動作波長 1.3 μm, 1.55 μm2024-09-10 15:33:00 |
