 |
6インチ1.0mmの陶磁器の基質、半導体の処理のためのアルミナの陶磁器の版2019-07-10 17:43:54 |
|
|
Al2O3機械シールのための陶磁器の基質のウエファーの優秀な電気特性2019-07-10 17:43:54 |
|
|
カスタマイズされた厚さ1.5mm 4" 4H-N sicの水晶のようにカットの空白のウエファー2022-06-23 10:12:35 |
|
|
4H-SEMI SiC基板切断ディスク 半径10mm 厚さ5mm <0001> 高硬さ2024-08-27 09:59:55 |
|
|
半断熱型SiCは,P型N型SEMI基板のSi化合物ウェッファーで,厚さ500mm2024-08-23 16:28:06 |
|
|
4H-N型SiC基板 10x10mmウェーハ パワーエレクトロニクス用2025-07-31 09:09:08 |
|
|
2インチ 3インチ 4インチ SiC 基板 330um 厚さ 4H-N タイプ 生産グレード2024-05-29 11:51:08 |
|
|
customzied形による抵抗>1E7ohm.cm SiCの基質2023-08-24 22:49:05 |
|
|
SiC エピタキシアル・ウェーバー基板 半導体産業用 4H-N2024-05-29 11:51:08 |
|
|
4H-N 5x5mm SicのウエファーDSPの陶磁器の触媒の基質2024-09-13 15:22:41 |
