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6inch VGF方法NタイプGaAsの基質675um SSPのウエファーを離れた2度2022-04-06 17:09:20 |
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3inch VGF GaAsのウエファーの研究テスト等級NのタイプGaAsの基質2023-06-16 17:03:33 |
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4インチのガリウム砒素のウエファー、低温合金のためのGaasの基質2019-07-10 17:43:54 |
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ICのシリコンの薄片SSP/DSPの表面の終わり<30/Cm2の粒子1~10ohmの抵抗2023-08-24 23:01:25 |
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8インチのシリコン・カービッド・ウェーファー プライム・ダミー 研究級 500mm 350mm2024-06-26 10:36:52 |
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熱伝導性の陶磁器の基質の窒化アルミニウムのAlNの高い陶磁器の基質2021-09-03 10:29:37 |
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ゲルマニウムの単結晶INPウエファーの半導体の基質2021-07-28 16:29:00 |
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モノクリスタル2inch平面の単結晶のサファイアのウエファーの基質Al2O32024-09-13 14:57:13 |
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4inch Sicのインゴット炭化ケイ素半導体のための5 - 15mmの厚さ2019-07-10 17:43:54 |
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6インチ1.0mmの陶磁器の基質、半導体の処理のためのアルミナの陶磁器の版2019-07-10 17:43:54 |
