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SiCの基質

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SiCの基質

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中国 シックセラミックス キャリヤーエンドエフェクター 工場

シックセラミックス キャリヤーエンドエフェクター

概要ワッファー処理のためのエンドエフェクター オーダーメイド Sic セラミックス キャリヤ ウェーファー ハンドリングのためのエンド エフェクター 超精密加工技術で製造されたワファーハンドリングエンドエフェクターは,マイクロンレベルの寸法精度 (±0.01mm) と例外的な熱安定性 (CTE ... 続きを読む
2025-05-26 11:36:35
中国 高純度SiCコーティング付きのベリープレート 工場

高純度SiCコーティング付きのベリープレート

SiC キャリアプレートの要約 高純度SiCコーティング付きのベリープレート SiCキャリアプレート (シリコンカービッドキャリアプレート) は,半導体,LED,パワーエレクトロニクスなどの先進的な製造部門で広く使用される高性能セラミックコンポーネントです.熱耐性 が 優れている熱伝導性が高く,熱... 続きを読む
2025-05-26 11:36:35
中国 高温耐性のSiCバックプレート/ウェーファーキャリア用のサポートプレート 工場

高温耐性のSiCバックプレート/ウェーファーキャリア用のサポートプレート

SiC バックプレート / サポートプレート 鍵要約 高温耐性のSiCバックプレート/ウェーファーキャリア用のサポートプレート シリコン・カービッド (SiC) バッキング・プレート/サポート・プレートは,半導体,LED,太陽光発電などの先進的な製造部門で広く使用される高性能セラミック部品です.熱... 続きを読む
2025-05-26 11:36:35
中国 SiC 多パネルキャリアプレート プレッシャーレスシリコンカービッド 工場

SiC 多パネルキャリアプレート プレッシャーレスシリコンカービッド

概要SiC トレイ SiC 多パネルキャリアプレート プレッシャーレスシリコンカービッド ZMSH の基本的競争力 半導体材料のソリューションを供給する世界トップ企業としてZMSHは 超高純度SiC単結晶成長技術と 先進的なコーティング技術を利用した SiCマルチ・ウェーファーサスペクターを開発し... 続きを読む
2025-05-26 11:36:35
中国 6インチ 4H-N シリコンカービッド SiC基板 ダイア 150mm 厚さ 350um 500um Nタイププライムグレード ダミーグレード 工場

6インチ 4H-N シリコンカービッド SiC基板 ダイア 150mm 厚さ 350um 500um Nタイププライムグレード ダミーグレード

SiC・ウェーファー,シリコン・カービッド・ウェーファー,SiC基板,シリコン・カービッド基板,Pグレード,Dグレード,2インチSiC,4インチSiC,6インチSiC,8インチSiC,12インチSiC,4H-N,4H-SEMI,6H-N,HPSIタイプ 4H-N SiCの特徴 - 使用するSIC モ... 続きを読む
2025-05-16 16:00:35
中国 シック光学レンズ 10x10x10mmt 4H-SEMI HPSI形とサイズ オーダーメイド 6SP 厚さ 1005 工場

シック光学レンズ 10x10x10mmt 4H-SEMI HPSI形とサイズ オーダーメイド 6SP 厚さ 1005

概要シック光学レンズ シック光学レンズ 10x10x10mmt 4H-SEMI HPSI形とサイズ オーダーメイド 6SP 厚さ 1005 ZMSHは10×10×10mmの標準サイズで高性能シリコンカービッド (SiC) オプティカルレンズを提供し,さまざまな光学システムの要件を満たすカスタマイズ... 続きを読む
2025-05-09 17:38:20
中国 4H-N シリコンカービッド SiC基板 2インチ 3インチ 4インチ 6インチ 8インチ 12インチプライムグレード ダミーグレード 工場

4H-N シリコンカービッド SiC基板 2インチ 3インチ 4インチ 6インチ 8インチ 12インチプライムグレード ダミーグレード

4H-N シリコンカービッド SiC基板 2インチ 3インチ 4インチ 6インチ 8インチ 12インチプライムグレード ダミーグレード 製品説明 4H-N シリコンカービッド SiC基板 2インチ 3インチ 4インチ 6インチ 8インチ 12インチプライムグレード ダミーグレード シリコンカーバイド ... 続きを読む
2025-04-29 14:01:02
中国 12インチ 300mm SiC シリコンカービッド・ウェーバー 4H-N型 ダミープライム 研究グレード 多種用途 工場

12インチ 300mm SiC シリコンカービッド・ウェーバー 4H-N型 ダミープライム 研究グレード 多種用途

12インチ 300mm SiC シリコンカービッド・ウェーバー 4H-N型 ダミープライム 研究グレード 多種用途 製品導入 SiC (シリコンカービード) は,シリコンと炭素を組み合わせて形成される化合物である.シリコンカービッドの種晶は重要な形であり,半導体材料,陶器シリコンカービッドは,硬さで... 続きを読む
2025-03-21 11:03:41
中国 12インチ直径 300mm SIC基板 エピタキシアル 磨きされたウェーファー シリコンカービッド インゴ プライムグレード 4H-N型 導電性太陽光発電 工場

12インチ直径 300mm SIC基板 エピタキシアル 磨きされたウェーファー シリコンカービッド インゴ プライムグレード 4H-N型 導電性太陽光発電

12インチ 直径300mm SIC 基板 エピタキシアル ポーリング ウェーファー シリコン カービッド インゴ プライム グレード 4H 型 導電性 太陽光発電 製品導入 12インチSiC基板 (12-インチSiC基板) は,主に高性能半導体装置の製造に使用される大型シリコンカービッド (SiC) ... 続きを読む
2025-03-21 11:00:23
中国 2インチ 4インチ 6インチ 8インチ 12インチ シリコンカービッド ワッフル SiC 4H-N ダミーグレード Rrimeグレード 高硬度半導体材料 工場

2インチ 4インチ 6インチ 8インチ 12インチ シリコンカービッド ワッフル SiC 4H-N ダミーグレード Rrimeグレード 高硬度半導体材料

2インチ 4インチ 6インチ 8インチ 12インチ シリコンカービッド ワッフル SiC 4H-N ダミーグレード Rrimeグレード 高硬度半導体材料 シリコン酸塩のウエファーについて シリコンカービッドウエファーは,ブロードバンドギャップ半導体材料の一種である.シリコンカービッドウエファの主な応... 続きを読む
2025-03-21 10:57:34
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