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SiCの基質

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SiCの基質

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中国 6インチ SiC エピタキシアル・ウェーバー直径 150mm 4H-N型 4H-P型 5G通信用 工場

6インチ SiC エピタキシアル・ウェーバー直径 150mm 4H-N型 4H-P型 5G通信用

6インチSiCエピタキシアルウエフルの技術要約 6インチ SiC エピタキシアル・ウェーバー直径 150mm N型 P型 5G通信用 シリコンカービード (SiC) の電源装置の製造のためのコア材料として,6インチの4H-SiCエピタキシアルウエファーは4H-N型SiC基板に基づいています.化学蒸... 続きを読む
2025-07-07 09:23:01
中国 4インチ SiC エピタキシャルウェーハ 4H-N 直径100mm 厚さ350μm プライムグレード 工場

4インチ SiC エピタキシャルウェーハ 4H-N 直径100mm 厚さ350μm プライムグレード

4インチSiC表軸波 4Hの概要 4インチ SiC エピタキシアル・ウェーファー 4H-N 直径100mm 厚さ350μm プライムグレード シリコンカービード (SiC) の電源装置の製造のためのコア材料として,4インチのSiCエピタキシアルウエファーは4H-N型SiCウエファに基づいています.... 続きを読む
2025-07-01 13:16:40
中国 2インチ直径 50.8mm 4H-N型 SiC 高温センサー用 エピタキシアル・ウェーファー 工場

2インチ直径 50.8mm 4H-N型 SiC 高温センサー用 エピタキシアル・ウェーファー

2インチSiCエピタキシャルウェーハ4Hの主なパラメータ パラメータ 技術仕様 結晶構造 4H-SiC単結晶 ウェーハ直径 50.8±0.5mm 結晶方位 (0001)面、オフ軸4°±0.5° エピタキシャル層厚さ 標準10μm(5~50μmカスタマイズ可能) ドーピングタイプ N型(窒素)/P型(... 続きを読む
2025-07-01 13:16:40
中国 シリコン・カービッド・SiC・ウェーファー 4H-N 2"3"4"6"8"12" N型プライム/ダミー/研究グレード 工場

シリコン・カービッド・SiC・ウェーファー 4H-N 2"3"4"6"8"12" N型プライム/ダミー/研究グレード

4H-N 2/3/4/6/8/12 インチ シリコンカービッド (SiC) 基板 プライム/ダミー/リサーチグレード この製品シリーズは,高度な半導体,電力電子,電磁気,電磁気,電磁気,電磁気,電磁気,電磁気,電磁気,電磁気,電磁気,電磁気,電磁気,電磁気,電磁気,電磁気,電磁気,電磁気,電磁気,... 続きを読む
2025-06-17 13:40:54
中国 HPSI 高純度半絶縁性 SiC ウェーハ 2"3"4"6" 8" プライム/ダミー/研究グレード 工場

HPSI 高純度半絶縁性 SiC ウェーハ 2"3"4"6" 8" プライム/ダミー/研究グレード

HPSI 高純度半絶縁型SiCウエファー 2/3/4/6/8インチプライム/ダミー/リサーチグレード HPSI (High Purity Semi-Insulating) シリコンカービッド (SiC) ウェーバーは,高周波,高電力,高温アプリケーションのために設計された先進的な半導体基板である. ... 続きを読む
2025-06-17 13:32:22
中国 4インチ 6インチ 8インチ 4H-SiCOI ワッフル 複合 SiC 隔熱基板 工場

4インチ 6インチ 8インチ 4H-SiCOI ワッフル 複合 SiC 隔熱基板

の概要SiCOIウェーハ 4インチ 6インチ 8インチ 4H-SiCOIウェーハ複合SiCオンインシュレータ基板 続きを読む
2025-06-10 17:24:22
中国 SiC結晶種子ワッフル Dia 205 203 208 生産グレード PVT/HTCVD成長 工場

SiC結晶種子ワッフル Dia 205 203 208 生産グレード PVT/HTCVD成長

概要SiC種子ウエフラー SiC結晶種子ワッフル Dia 205 203 208 生産グレード PVT/HTCVD成長 シリコン・カービッド (SiC) 種子結晶は,切断,磨き,加工,製造などで生産される,SiC単結晶の成長と装置製造のための基礎材料です.高純度SiC結晶の磨きこれらのウエファーは... 続きを読む
2025-05-26 11:39:21
中国 SiCシードウエファー 4H Nタイプ DIA 153 155 2インチ-12インチ MOSFET 製造用にカスタマイズされた 工場

SiCシードウエファー 4H Nタイプ DIA 153 155 2インチ-12インチ MOSFET 製造用にカスタマイズされた

概要SiC種子ウエフラー SiC種子ウエファー 4H Nタイプ Dia 153 155 2インチ-12インチカスタマイズ MOSFETの製造に使用される シリコンカービッド (SiC) の種子結晶は半導体産業における基本的な材料として使用されます.高純度シリコンカービッド (SiC) 原材料から,... 続きを読む
2025-05-26 11:39:21
中国 シックセラミックス キャリヤーエンドエフェクター 工場

シックセラミックス キャリヤーエンドエフェクター

概要ワッファー処理のためのエンドエフェクター オーダーメイド Sic セラミックス キャリヤ ウェーファー ハンドリングのためのエンド エフェクター 超精密加工技術で製造されたワファーハンドリングエンドエフェクターは,マイクロンレベルの寸法精度 (±0.01mm) と例外的な熱安定性 (CTE ... 続きを読む
2025-05-26 11:36:35
中国 高純度SiCコーティング付きのベリープレート 工場

高純度SiCコーティング付きのベリープレート

SiC キャリアプレートの要約 高純度SiCコーティング付きのベリープレート SiCキャリアプレート (シリコンカービッドキャリアプレート) は,半導体,LED,パワーエレクトロニクスなどの先進的な製造部門で広く使用される高性能セラミックコンポーネントです.熱耐性 が 優れている熱伝導性が高く,熱... 続きを読む
2025-05-26 11:36:35
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