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シリコン・カービッド・ウェーファー 6インチ シック シングル・クリスタル 150mm 直径 3C-N型 通信レーダーシステム用スーツ

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最もよい価格を得なさい
シリコンカービッド基板 4' Sic 3C-N 直径 100mm 導電性タイプゼロ MPD 生産グレード

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4インチシックシリコンカービッドウェーファー 6H-P型 厚さ350μm ゼロ/プライムグレード ダミーグレード

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シリコン・カービッド・ウェーファー 6H P型& 4H P型ゼロ MPD 製造 ダミー・グレード Dia 4インチ 6インチ

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シリコン・カービッド・ウェーファー 4H P型ゼロ MPD 製造グレード ダミーグレード 4インチ 6インチ

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シリコン・カービッド・ウェーファー 6H P型 標準生産グレード ディア:145.5 mm~150.0 mm 厚さ 350 μm ± 25 μm

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シリコンカービッド SIC ウェーファー 10*10 mm 6H-P 厚さ 350μm 高功率装置用

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シリコンカービッド基板 5.0*5.0mm 方形 6H-P型 厚さ 350μm ゼログレード ダミーグレード

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2インチシークリシウムカービッド基板 6H 低耐性 高Pドーピング型 直径 50.8mm

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6H-P シリコンカービッド SiC 基板 6インチ SIC ウェーファー 4H-P 光電子機器用

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4H-P シリコンカービッド SiC 基板 4インチ SIC ウェーファー 6H-P III-V 窒素堆積用

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4H-N 4インチの窒化珪素SiCの基質の高い発電装置のための模造の等級SiCの基質

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