10x15mm 001ガリウム酸化物の高の基質Mgの添加 10x10mmガリウム酸化物の基質の単斜の構造--------------------------------------------------------------------------------------------------... 続きを読む

2023-07-19 17:42:35

10x15mmは100 Feとのオリエンテーションガリウム酸化物GaASの基質100のオリエンテーション添加した
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10x15mmは100 Feとのオリエンテーションガリウム酸化物の高の基質100のオリエンテーション添加した 10x15mmガリウム酸化物の高の基質100のオリエンテーション 10x10mmガリウム酸化物の基質の単斜の構造 -------------------------------------... 続きを読む

2023-07-19 17:40:37

SiCのケイ素のサファイアの基質のエピタキシアルウエファー4inch Dia 100mm GaN GaNでカスタマイズされる
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青緑のGaNの支えがない基質のマイクロ主導のepiのウエファーGaN GaNのB2inch GaNの支えがない基質のPINのウエファーGaN GaNの2inch GaNのGaN GaN縦のGaNのGaNでは、組合わせを誤まられた基質および層にされた構造と関連付けられる問題のどれもない。 GaNの縦の... 続きを読む

2023-07-19 17:37:37

マイクロLED EPIのウエファーの自由な立つGaNの基質GaN GaN 2インチ
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青緑のGaNの支えがない基質のマイクロ主導のepiのウエファーGaN GaNのB2inch GaNの支えがない基質のPINのウエファーGaN GaNの2inch 約特徴GaN GaNで導入しなさい縦のGaN力装置に材料の物理的性質によって600 V.の上のGaN縦の装置のような高圧条件の適用の力装... 続きを読む

2023-07-13 14:46:03

2-4inch HVPE GaNのウエファーによってカスタマイズされるサイズの支えがないGaNの単結晶材料
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2 インチ GaN 基板テンプレート、LED 用 GaN ウェーハ、ld 用半導体窒化ガリウムウェーハ、GaN テンプレート、mocvd GaN ウェーハ、カスタマイズされたサイズによる自立型 GaN 基板、LED 用小型 GaN ウェーハ、mocvd 窒化ガリウムウェーハ 10x10mm... 続きを読む

2023-02-15 17:10:41

熱管理区域のためのMPCVD方法GaNのダイヤモンド脱熱器ウエファー
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SD 熱管理区域のためのcustomziedサイズMPCVD方法GaN&Diamond脱熱器ウエファーダイヤモンドに広いバンドギャップ、高い熱伝導性、高い故障分野強さ、高いキャリア移動度、高温抵抗、酸およびアルカリの抵抗、耐食性、放射抵抗および他の優秀な特性がある高い発電、高周波は、高温分野重要... 続きを読む

2023-01-03 11:54:15

エピタキシアルGaNのためのMPCVD方法Polytypeのダイヤモンドの基質のウエファー
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熱管理区域のためのcustomziedサイズMPCVD方法GaN&Diamond脱熱器ウエファーエピタキシアルGaNのためのMPCVD方法polytypeのダイヤモンドの基質のウエファーダイヤモンドに広いバンドギャップ、高い熱伝導性、高い故障分野強さ、高いキャリア移動度、高温抵抗、酸およびアル... 続きを読む

2023-01-03 11:49:13

ダイヤモンドのGaNおよびエピタキシアルHEMTおよび結合によるGaNのウエファーのDimond
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熱管理区域のためのcustomziedサイズMPCVD方法GaN&Diamond脱熱器ウエファー GaNは無線周波数の、速く充満および他の分野で広く利用されているが、性能および信頼性はチャネルおよびジュールの熱するefiectの温度と関連している。GaNベースの力装置の一般的な基質材料（サファイア、... 続きを読む

2023-01-03 11:44:58

ダイヤモンドの基質のダイヤモンドの型板のウエファーのAlNのエピタキシアルフィルムのAlN
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ケイ素AlNのサファイア/AlN-on-SiC/のダイヤモンドの基質AlNのダイヤモンドの型板のウエファーのAlNのエピタキシアルフィルムのAlN 窒化アルミニウム（AlN）は高い熱伝導性の少数の非金属材料の1つで、広い市場の塗布の見通しがある。Co.、株式会社を製造する化学半導体は2枚... 続きを読む

2023-01-03 11:41:01

HVPEガリウム窒化物のウエファーのGaNの自由で永続的な基質4inch
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4inch HVPE方法ガリウム窒化物のGaNのウエファー、LEDのapplicaionのための地位のGaNの自由な基質、10x10mmのサイズのGaNの破片、HVPE GaNのウエファー約特徴GaN GaNで導入しなさい縦のGaN力装置に材料の物理的性質によって600 V.の上のGaN縦の装置... 続きを読む

2022-10-28 09:53:24

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