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4'' 200nm AlScN シリコン・ウェーファー SSP DSP LEDデバイスのためのエピタキシアル基板

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4'6' AIN シリコン基板 SSP DSP 半導体ホイール 100nm 200nm 層

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力マイクロLEDのための300mmガリウム窒化物のウエファーのGaNケイ素

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透明な10x15mm LEDsの塗布のための001のオリエンテーション ガリウム酸化物の高の基質

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10x15mmは100 Feとのオリエンテーション ガリウム酸化物GaASの基質100のオリエンテーション添加した

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SiCのケイ素のサファイアの基質のエピタキシアル ウエファー4inch Dia 100mm GaN GaNでカスタマイズされる

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マイクロLED EPIのウエファーの自由な立つGaNの基質GaN GaN 2インチ

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2-4inch HVPE GaNのウエファーによってカスタマイズされるサイズの支えがないGaNの単結晶材料

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熱管理区域のためのMPCVD方法GaNのダイヤモンド脱熱器ウエファー

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エピタキシアルGaNのためのMPCVD方法Polytypeのダイヤモンドの基質のウエファー

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ダイヤモンドのGaNおよびエピタキシアルHEMTおよび結合によるGaNのウエファーのDimond

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ダイヤモンドの基質のダイヤモンドの型板のウエファーのAlNのエピタキシアル フィルムのAlN

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