サファイアの2inch、4inchガリウム窒化物のAlNの型板のウエファーかsicの基質、HVPEガリウム窒化物のウエファー、AlNの型板 III窒化物（GaN、AlNのイン）禁止された帯域幅（発光および吸収）カバー紫外線、可視ライトおよび赤外線。プロダクト窒化アルミニウム（AlN）のフィルム ... 続きを読む

2020-12-19 20:51:08

GaNの型板は適用SSPサファイアのキャリアの基質の破片の習慣のオリエンテーションを育てます
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GaNの型板のためのカスタマイズされたオリエンテーション2inch SSPのサファイアのキャリアの基質の破片は適用を育てますサファイアのウエファーのキャリアは厳しい指定に製造され、GaAs、GaN、AlNおよび他の半導体の型板を処理するための安定したキャリアを提供します。サファイアのウエファーのキ... 続きを読む

2019-07-10 17:43:54

HVPEガリウム窒化物のGaNのウエファー、Ganの破片の自由な地位10 x 10のmmのサイズ
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2inch HVPE方法ガリウム窒化物のGaNのウエファー、LDのためのGaNの自由で永続的な基質、10x10mmのサイズのGaNの破片、HVPE GaNのウエファー GaNの特徴について導入して下さい高速の、高温および高いパワー処理の機能のための高まる需要はmadetheの半導体の企業を半導体と... 続きを読む

2019-07-10 17:43:54

半導体ガリウム窒化物のウエファー、GaNの基質の型板N -タイプ2のインチ
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2inch GaNの基質の型板、LeDのためのGaNのウエファー、ldのための半導体ガリウム窒化物のウエファー、GaNの型板、mocvd GaNのウエファー、カスタマイズされたサイズによるGaNの支えがない基質、LEDのためのGaNの小型のウエファー、mocvdガリウム窒化物のウエファ... 続きを読む

2019-07-10 17:43:54

Undoped半絶縁ガリウム窒化物のウエファーHVPEおよび型板のタイプ
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2019-07-10 17:43:54

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