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シリコン・カービッド・ウェーファー 4H P型ゼロ MPD 製造グレード ダミーグレード 4インチ 6インチ2024-09-24 17:30:38 |
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シリコン・カービッド・ウェーファー 2インチ 4インチ 6インチ 8インチ 工業用 表面粗さ ≤0.2nm2024-06-26 10:36:52 |
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ウェッファー結合装置 室温 ボンドイン 水利性結合 Si-SiC Si-Si 結合 2 -12 インチ2025-04-18 11:43:18 |
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SiC 多パネルキャリアプレート プレッシャーレスシリコンカービッド2025-05-26 11:36:35 |
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4インチ SiC エピタキシャルウェーハ 4H-N 直径100mm 厚さ350μm プライムグレード2025-07-01 13:16:40 |
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8インチ SiC エピタキシャルウェーハ 直径200mm 厚さ500μm 4H-N型2025-07-28 15:29:25 |
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半断熱型SiCは,P型N型SEMI基板のSi化合物ウェッファーで,厚さ500mm2024-08-23 16:28:06 |
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シックセラミックス キャリヤーエンドエフェクター2025-05-26 11:36:35 |
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シリコン・カービッド・ウエーファー 8インチ 200mm 磨き基板 半導体2024-06-26 10:36:52 |
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4H-SEMI SiC基板切断ディスク 半径10mm 厚さ5mm <0001> 高硬さ2024-08-27 09:59:55 |
