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よい価格 4H-N型SiC基板 10x10mmウェーハ パワーエレクトロニクス用 オンライン
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2インチ 4インチ 6インチ シリコンカービッド基板 6H 高Pドーピング型 軸外4.0°向前 プライムグレード ダミーグレード

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シリコン・カービッド・ウェーファー シック・サブストラート 4H-P型 オフ・アクシス 4.0°向零度 温度センサー用

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シリコンカルビッドワッフル 4H-P型 0°軸上 高功率装置の製造に使用

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2インチ / 4インチ / 6インチ Sic シリコンカービッド基板 4H-P 型オフ軸 2.0° 生産グレード

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4H-N シリコンカービッド SiC基板 2インチ 3インチ 4インチ 6インチ 8インチ 12インチプライムグレード ダミーグレード

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2インチ/4インチ/6インチ/5.0*5.0 mm/10.0*10.0 mm Sic シリコンカービッド基板型 3C-N 軸: < 111 > ± 0.5° 製造グレード ダミーグレード

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2インチシークリシウムカービッド基板 6H 低耐性 高Pドーピング型 直径 50.8mm

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3C-SiC基板 N型 製品グレード 5G通信用

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CVD SiC エピタキシウエファー 2インチ 3インチ 4インチ 6インチ エピタキシ厚さ 2.5-120 um 電子電源

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2インチ直径 50.8mm 4H-N型 SiC 高温センサー用 エピタキシアル・ウェーファー

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2インチ 4インチ 6インチ 8インチ 5×5mm 10×10mm 4H-SiC基質 3C-Nタイプ MOSグレード

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6インチシック シリコンカービッド基板 4H-P 直径150mm 厚さ350μm MPD生産ゼロ,標準生産グレード

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