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よい価格 半導体デバイスのための2inch 3inch Dia100m 4H-Nのタイプ炭化ケイ素のウエファーの生産の等級 オンライン
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購入 4H-N Type SiC Substrate 10x10mm Wafer for Power Electronics オンライン製造 ビデオ

4H-N Type SiC Substrate 10x10mm Wafer for Power Electronics

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2インチ/4インチ/6インチ/5.0*5.0 mm/10.0*10.0 mm Sic シリコンカービッド基板型 3C-N 軸: < 111 > ± 0.5° 製造グレード ダミーグレード

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12インチ シック・ウェーファー シリコン・カービッド 4H-N タイプ 生産品級 ダミー・グレード 大型

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2インチ 4インチ 6インチ シリコンカービッド基板 6H 高Pドーピング型 軸外4.0°向前 プライムグレード ダミーグレード

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6インチシークリシウムカービッド基板 6H-P型通信用・レーダー用 径150mm プライムグレード

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12インチ シック シングルクリスタル シリコンカービッド基板 大サイズ 高純度直径 300mm 製品グレード 5G通信用

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2インチ / 4インチ / 6インチ Sic シリコンカービッド基板 4H-P 型オフ軸 2.0° 生産グレード

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