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よい価格 4インチシックシリコンカービッドウェーファー 6H-P型 厚さ350μm ゼロ/プライムグレード ダミーグレード オンライン
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6インチ超高電圧 SiC エピタキシアル・ウェーファー MOSFET デバイス用 100 〜 500 μm

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2インチ/4インチ/6インチ/5.0*5.0 mm/10.0*10.0 mm Sic シリコンカービッド基板型 3C-N 軸: < 111 > ± 0.5° 製造グレード ダミーグレード

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SiC結晶種子ワッフル Dia 205 203 208 生産グレード PVT/HTCVD成長

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2インチ 3インチ 4インチ 6インチ SiCエピタキシャルウェーハ 4H-N 生産グレード

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SiCシードウエファー 4H Nタイプ DIA 153 155 2インチ-12インチ MOSFET 製造用にカスタマイズされた

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8インチ SiC エピタキシャルウェーハ 直径200mm 厚さ500μm 4H-N型

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