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CVD SiC エピタキシウエファー 2インチ 3インチ 4インチ 6インチ エピタキシ厚さ 2.5-120 um 電子電源2024-05-07 18:17:32 |
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カスタマイズされたサイズ5x5mm 0.5x0.5mm 4H-N SICの破片の版2023-08-24 22:50:31 |
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SBD MOS装置のための4H-N 4inch 6inch Sicのウエファーの半導体材料2023-04-26 13:50:08 |
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12インチ 300mm SiC シリコンカービッド・ウェーバー 4H-N型 ダミープライム 研究グレード 多種用途2025-03-21 11:03:41 |
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半導体デバイスのための2inch 3inch Dia100m 4H-Nのタイプ炭化ケイ素のウエファーの生産の等級2020-10-26 20:48:02 |
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シック結晶増殖炉 PVT LPE HT-CVD 高品質のシック単結結晶増殖方法2025-02-21 16:42:38 |
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4H-Nパワー エレクトロニクスのためのようにカットの炭化ケイ素のウエファー0.5mmの厚さ2022-06-23 10:13:53 |
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2インチシークリシウムカービッド基板 6H 低耐性 高Pドーピング型 直径 50.8mm2024-09-24 17:30:38 |
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2インチ6H -探知器のための半炭化ケイ素のウエファーの低い電力の消費2024-08-26 15:41:54 |
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8インチ SiC エピタキシアル基板 MOS グレード プライム グレード 4H-N タイプ 大直径2025-07-28 15:29:25 |
