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2Inch炭化ケイ素のウエファー6Hまたは4HのNタイプかSemi-Insulating SiCの基質

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太陽光起電のための4H-N 8inchの半導体の基質SICの炭化ケイ素のウエファー

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高温高圧力装置太陽光起電のための注文の伝導性のタイプSiCのウエファー

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実験のための8inch DSP 4H SiCのウエファーの炭化ケイ素の基質の生産の等級Nのタイプ

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2inch 4inch 6inch 8Inchの炭化ケイ素のウエファーSicのウエファーの模造の研究の主な等級

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カスタマイズされた4H-NはSemi-Insulating SiCの基質4inch 6inchの炭化ケイ素のウエファーをタイプする

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330um厚さ4H-NのタイプSiCの基質の生産の等級Dia50.8mm 2inch

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2inch Dia 50.8mm 4H-Semi SiCの基質の研究の等級の単結晶

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6inch Dia 150mmのSBD MOSの塗布のための350um厚さ4H NのタイプSiCの基質

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4H-NタイプSemi-Insulating SiCの基質2inch 3inch 4inchの炭化ケイ素のウエファー

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2インチSICシリコンカービッドウェーファー 4H-N型 MOSデバイス用 ダイア 0.4mm

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4H-N シリコンカービッド SiC 基板 8 インチ 厚さ 350um 500um プライムグレード ダミーグレード SiC ウェーファー

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