調査の結果

家プロダクト Sic 6H P オンライン製造業者

全カテゴリー

サファイアのウエファー

SiCの基質

サファイア光学Windows

ICのシリコンの薄片

ワイヤーは機械を見た

総合的なサファイア棒

石英ガラスの版

サファイアの部品

総合的な宝石用原石

半導体装置

LiNbO3ウエファー

リン化インジウムのウエファー

陶磁器の基質

実験室のラッパー

ガリウム窒化物のウエファー

GaAsのウエファー

私達に連絡しなさい

Mr. Wang

eric_wang@zmsh-materials.com

+8615801942596

今連絡してください

あなたの探求

[Sic 6H P ]

マッチ

112

プロダクト

シリコンカルビッドワッフル 4H-P型 0°軸上高功率装置の製造に使用

最もよい価格を得なさい

2インチ / 4インチ / 6インチ Sic シリコンカービッド基板 4H-P 型オフ軸 2.0° 生産グレード

最もよい価格を得なさい

4H-N シリコンカービッド SiC 基板 8 インチ厚さ 350um 500um プライムグレードダミーグレード SiC ウェーファー

最もよい価格を得なさい

ビデオ

4H-SEMI SiC基板 2 インチ厚さ 350um 500umプライム/ダミーグレード AR眼鏡光学グレード

最もよい価格を得なさい

4インチ 3C N型 SiC基板シリコンカービッド基板厚さ350um プライムグレードダミーグレード

最もよい価格を得なさい

ビデオ

4H-N型SiC基板 10x10mmウェーハパワーエレクトロニクス用

最もよい価格を得なさい

ビデオ

オプトエレクトロニクス半導体材料に使用されるSiC基板4H-N厚さ350um

最もよい価格を得なさい

2インチ 3インチ 4インチ 6インチ SiCエピタキシャルウェーハ 4H-N 生産グレード

最もよい価格を得なさい

6インチ SiC エピタキシアル・ウェーバー直径 150mm 4H-N型 4H-P型 5G通信用

最もよい価格を得なさい

ビデオ

SiC エピタキシアル・ウェーバー基板半導体産業用 4H-N

最もよい価格を得なさい

2inch 4inch 6inch 8Inchの炭化ケイ素のウエファーSicのウエファーの模造の研究の主な等級

最もよい価格を得なさい

4H-SEMIは装置材料のためのSicのウエファーレンズ2INCH 3INCH 4INCH 9.0の硬度を磨いた

最もよい価格を得なさい

4インチ,6インチ,8インチの大きなサイズ結晶を育てるために PVT,Lely TSSGとLPEの方法を使用します.

最もよい価格を得なさい

4インチ 4H-N シリコンカービッド SiC 基板 100mm Nタイププライムグレードダミーグレード厚さ 350um カスタマイズ

最もよい価格を得なさい

2インチ4H-N シリコンカービッド SiC基板厚さ350um 500um SiCウエファープライムグレードダミーグレード

最もよい価格を得なさい

ビデオ

4H-SEMI SiC基板切断ディスク半径10mm 厚さ5mm <0001> 高硬さ

最もよい価格を得なさい

1 2 3 4 5 6 7

の検索結果

家プロダクト Sic 6H P オンライン製造業者

全カテゴリー

サファイアのウエファー

SiCの基質

サファイア光学Windows

ICのシリコンの薄片

ワイヤーは機械を見た

総合的なサファイア棒

石英ガラスの版

サファイアの部品

総合的な宝石用原石

半導体装置

LiNbO3ウエファー

リン化インジウムのウエファー

陶磁器の基質

実験室のラッパー

ガリウム窒化物のウエファー

GaAsのウエファー

あなたの探求 [ Sic 6H P ] マッチ 112 プロダクト

高い純度のun-doped炭化ケイ素sicのウエファー、6Inch 4H-Semi Sicの炭化ケイ素の基質

最もよい価格を得なさい

2インチ 4インチ 6インチ 8インチ 5×5mm 10×10mm 4H-SiC基質 3C-Nタイプ MOSグレード

最もよい価格を得なさい

8インチのシリコン・カービッド・ウェーファープライム・ダミー研究級 500mm 350mm

最もよい価格を得なさい

6インチシックシリコンカービッド基板 4H-P 直径150mm 厚さ350μm MPD生産ゼロ,標準生産グレード

最もよい価格を得なさい

シリコン・カービッド・ウェーファー 55mm/1010mm 4H-P型パワー・エレクトロニクス用

最もよい価格を得なさい

2/4/6/8 インチ Sic シリコンカービッド結晶種子基板 4H-N型高硬さ Pグレード Rグレード Dグレード

最もよい価格を得なさい

シリコン・カービッド・ウェーファーシック・サブストラート 4H-P型オフ・アクシス 4.0°向零度温度センサー用

最もよい価格を得なさい

ビデオ

3' 4' 350um 500um SSP DSP 4H- 6H- 研究ダミーグレード SIC エピタキシャル基板

最もよい価格を得なさい

シリコンカルビッドワッフル 4H-P型 0°軸上高功率装置の製造に使用

最もよい価格を得なさい

2インチ / 4インチ / 6インチ Sic シリコンカービッド基板 4H-P 型オフ軸 2.0° 生産グレード

最もよい価格を得なさい

4H-N シリコンカービッド SiC 基板 8 インチ厚さ 350um 500um プライムグレードダミーグレード SiC ウェーファー

最もよい価格を得なさい

ビデオ

4H-SEMI SiC基板 2 インチ厚さ 350um 500umプライム/ダミーグレード AR眼鏡光学グレード

最もよい価格を得なさい

1 2 3 4 5 6 7 8

サファイアのウエファー

SiCの基質

サファイア光学Windows

ICのシリコンの薄片

ワイヤーは機械を見た

総合的なサファイア棒

石英ガラスの版

サファイアの部品

総合的な宝石用原石

半導体装置

LiNbO3ウエファー

リン化インジウムのウエファー

陶磁器の基質

実験室のラッパー

ガリウム窒化物のウエファー

GaAsのウエファー

サファイアのウエファー

SiCの基質

サファイア光学Windows

ICのシリコンの薄片

ワイヤーは機械を見た

総合的なサファイア棒

石英ガラスの版

サファイアの部品

総合的な宝石用原石

半導体装置

LiNbO3ウエファー

リン化インジウムのウエファー

陶磁器の基質

実験室のラッパー

ガリウム窒化物のウエファー

GaAsのウエファー

サファイアのウエファー

SiCの基質

サファイア光学Windows

ICのシリコンの薄片

ワイヤーは機械を見た

総合的なサファイア棒

石英ガラスの版

サファイアの部品

総合的な宝石用原石

半導体装置

LiNbO3ウエファー

リン化インジウムのウエファー

陶磁器の基質

実験室のラッパー

ガリウム窒化物のウエファー

GaAsのウエファー

[Sic 6H P ]

サファイアのウエファー

SiCの基質

サファイア光学Windows

ICのシリコンの薄片

ワイヤーは機械を見た

総合的なサファイア棒

石英ガラスの版

サファイアの部品

総合的な宝石用原石

半導体装置

LiNbO3ウエファー

リン化インジウムのウエファー

陶磁器の基質

実験室のラッパー

ガリウム窒化物のウエファー

GaAsのウエファー

高い純度のun-doped炭化ケイ素sicのウエファー、6Inch 4H-Semi Sicの炭化ケイ素の基質

2インチ 4インチ 6インチ 8インチ 5×5mm 10×10mm 4H-SiC基質 3C-Nタイプ MOSグレード

8インチのシリコン・カービッド・ウェーファー プライム・ダミー 研究級 500mm 350mm

6インチシック シリコンカービッド基板 4H-P 直径150mm 厚さ350μm MPD生産ゼロ,標準生産グレード

シリコン・カービッド・ウェーファー 5*5mm/10*10mm 4H-P型 パワー・エレクトロニクス用

2/4/6/8 インチ Sic シリコンカービッド結晶種子基板 4H-N型 高硬さ Pグレード Rグレード Dグレード

シリコン・カービッド・ウェーファー シック・サブストラート 4H-P型 オフ・アクシス 4.0°向零度 温度センサー用

3' 4' 350um 500um SSP DSP 4H- 6H- 研究 ダミー グレード SIC エピタキシャル 基板

シリコンカルビッドワッフル 4H-P型 0°軸上 高功率装置の製造に使用

2インチ / 4インチ / 6インチ Sic シリコンカービッド基板 4H-P 型オフ軸 2.0° 生産グレード

4H-N シリコンカービッド SiC 基板 8 インチ 厚さ 350um 500um プライムグレード ダミーグレード SiC ウェーファー

4H-SEMI SiC基板 2 インチ厚さ 350um 500umプライム/ダミーグレード AR眼鏡 光学グレード

8インチのシリコン・カービッド・ウェーファープライム・ダミー研究級 500mm 350mm

6インチシックシリコンカービッド基板 4H-P 直径150mm 厚さ350μm MPD生産ゼロ,標準生産グレード

シリコン・カービッド・ウェーファー 55mm/1010mm 4H-P型パワー・エレクトロニクス用

2/4/6/8 インチ Sic シリコンカービッド結晶種子基板 4H-N型高硬さ Pグレード Rグレード Dグレード

シリコン・カービッド・ウェーファーシック・サブストラート 4H-P型オフ・アクシス 4.0°向零度温度センサー用

3' 4' 350um 500um SSP DSP 4H- 6H- 研究ダミーグレード SIC エピタキシャル基板

シリコンカルビッドワッフル 4H-P型 0°軸上高功率装置の製造に使用

4H-N シリコンカービッド SiC 基板 8 インチ厚さ 350um 500um プライムグレードダミーグレード SiC ウェーファー

4H-SEMI SiC基板 2 インチ厚さ 350um 500umプライム/ダミーグレード AR眼鏡光学グレード